SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈 速度提升30%
随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字。 在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。 根据SK Hynix之前公布的信息,所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND,它是把NAND闪存Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND闪存,本质上其实还是3D...阅读全文