SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈 速度提升30%

· · 362 次点击 · · 开始浏览    
这是一个创建于 的文章,其中的信息可能已经有所发展或是发生改变。

随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,SK Hynix给他们的新闪存起了个4D NAND闪存的名字。

在今年的FMS国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于CTF技术的4D NAND闪存,日前他们又宣布4D NAND闪存正式量产,目前主要是TLC类型,96层堆栈,512Gb核心容量,使用该技术可以减少30%的核心面积,读取、写入速度分别提升30%、25%。

SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈 速度提升30%

根据SK Hynix之前公布的信息,所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND,它是把NAND闪存Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND闪存,本质上其实还是3D NAND,4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的,核心容量分别是512Gbt、1Tb,都是96层堆栈,IO接口速度1.2Gbps,不过两者的BGA封装面积是不一样的,1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的,这个未来会是SK Hynix量产的重点,核心容量1Tb,但量产时间会在明年下半年,还需要一些时间。韩联社报道称,SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存,TLC类型,核心容量512Gb,与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比,4D NAND闪存的核心面积减少了30%,单片晶圆的生产输出增加了50%,而且性能也更强——读取速度提升30%,写入速度提升25%。

SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈 速度提升30%

根据官方所说,4D NAND闪存今年内会量产,而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂,总投资高达15万亿韩元,约合135亿美元。

关注本站微信公众号(和以上内容无关)InfraPub ,扫码关注:InfraPub

362 次点击  
加入收藏 微博
暂无回复
添加一条新回复 (您需要 登录 后才能回复 没有账号 ?)
  • 请尽量让自己的回复能够对别人有帮助
  • 支持 Markdown 格式, **粗体**、~~删除线~~、`单行代码`
  • 支持 @ 本站用户;支持表情(输入 : 提示),见 Emoji cheat sheet
  • 图片支持拖拽、截图粘贴等方式上传