Everspin宣布千兆级芯片ST
据外媒报道,磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑。Everspin宣布开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片,另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。 Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力,相较于普通的NAND闪存技术,它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性。 这款新芯片采用的则是一个兼容DDR4的接口。这家公司表示,供应商可以利用持久的记忆技术设计企业级SSD或对现有的储存产品展开进一步的改善。 据了解,ST-MARAM的密度要比公司旗下现有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin指出,从Global Foundries的40nm工艺到foundry 28nm工艺的转变是开发这种千兆级芯片的关键,另外...阅读全文