SK Hynix量产首个4D NAND闪存:96层堆栈 速度提升30%
NAND,4D NAND闪存有很强的商业营销味道。 SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的,核心容量分别是512Gbt、1Tb,都是96层堆栈,IO接口速度1.2Gbps,不过两者的BGA封装面积是不一样的,1Tb版显然更大一些。 至于QLC类型的,这个未来会是SK Hynix量产的重点,核心容量1Tb,但量产时间会在明年下半年,还需要一些时间。韩联社报道称,SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存,TLC类型,核心容量512Gb,与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比,4D NAND闪存的核心面积减少了30%,单片晶圆的生产输出增加了50%,而且性能也更强——读取速度提升30%,写入速度提升25%。 根据官方所说,4D NAND闪存今年内会量产,而...阅读全文