比UFS 2.1性能翻番 UFS 3.0正式发布:2.9GB/s
错性能提升,电压2.5V,支持最新的NANG Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶,工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。 至于 UFSHCI v3.0 规范则面向主控厂商参考,用于简化通行设计。 至于UFS存储卡v1.1,则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容,这样存储速度就达到最高1.5GB/s。 另外,三星已经宣布,将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口,所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件,暂不得而知。...阅读全文