在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Gb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电流只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。按照三星的说法，3GAE工艺相比于其...阅读全文
访问购买页面: SAMSUNG - 三星旗舰店 今年的活动有800多名客户和合作伙伴参加，三星的内存和系统LSI业务领导人--包括内存业务总裁兼负责人Jung-bae Lee、系统LSI业务总裁兼负责人Yong-In Park和执行副总裁兼设备解决方案（DS）美洲办事处负责人Jaeheon Jeong，一同就公司的最新进展和未来愿景发表了演讲。系统LSI业务亮点在今年技术日的上午会议上，系统LSI业务强调了其目标，即通过最大限度地发挥其独特和广泛的产品系列之间的协同作用，成为一个"整体解决方案无工厂"。作为三星电子的无晶圆厂IC设计公司，系统LSI业务目前提供约900种产品，其中包括SoC（片上系统）、图像传感器、调制解调器、显示驱动IC（DDI）、电源管理IC（PMIC）和安全解决方案...阅读全文
三星的850EVO/PRO以及不带后缀的850固态盘（120GB国行399元）已经发布开卖相当长一段时间了，新品的迹象迟迟看不到。今日有网友从三星北美官网发现了860 PRO已经正式出现。 页面显示，4TB的起售价是1899.99美元（约合1.22万元），型号MZ-76P4T0E。性能方面，连续读取最高560MB/s、连续写入最高530MB/s，妥妥的SATA3。 目前，三星850 EVO在国内提供有4TB的选项，也是SATA3，价格是11399元。此前，860 EVO曾现身串行设备组织官网，显示容量从256GB到4TB。 闪存方面，外媒TMHW此前从线人那里得知，860 EVO将是三星的第一代消费级QLC闪存固态盘，也就是4bits/Cell，而PRO可能还是3D TLC。 简单一提，一...阅读全文
日前，Intel 公开表示将为 ARM 阵营 IC 设计厂商代工生产芯片。且还公开叫板“友商”，称 Intel 的 10nm 工艺比三星、台积电的 10nm 工艺更具优势。ARM 方面表示很期待与英特尔合作。此外，不知道是否因为台积电和三星制造工艺注水的问题，Intel 的专家 Mark Bohr 还发布了一个更合理的衡量半导体工艺水平的公式。那么，Intel 缘何开始为 ARM 阵营 IC 设计公司代工芯片，Intel 提出的新计算公式能得到台积电、三星、格罗方德等代工大厂的认同么？ Intel 罕有为第三方提供代工业务 一直以来，虽然台积电在芯片代工领域的市场份额独占鳌头，但在芯片制造工艺上，Intel 始终掌握着最先进的技术。举例来说，虽然同样是 14nm 制造工艺，三星的 14nm...阅读全文
PIM存内计算是近年来的热门领域，与传统诺伊曼体系面临着越来越严重的存储贷款瓶颈不同，PIM直接在存储芯片上集成了计算功能，而不是CPU、内存数据分离，这样就能极大地提高带宽，在AI人工智能领域这个更重要。得益于这一突破，三星首发的HBM-PIM技术实现了2倍的性能，同时功耗还降低了70%，还能兼容目前的HBM接口，便于客户通过HBM-PIM来构建自己的AI加速器。三星计划今年上半年推出HBM-PIN芯片完成客户验证工作，何时量产、商用还没信息。...阅读全文
海盗船（Corsair）刚刚为 Neutron NX 500 系列固态硬盘驱动器添加了 1.6TB 的新版本，其售价为 1575 美元（约 10389 RMB），折合每 GB 容量 0.98 美元。 在 ATTO 基准测试中，其持续读 / 写性能分别达到了 3000MB/s 和 2800MB/s；换用 CrystalDiskMark 的话，则是 2800MB/s（读取）和 1600MB/s（写入）。随机读 / 写性能上，1.6TB 版本分别可达 300k 和 270k IOPS 。 不过与外媒在今年早些时候评测过的 400GB 版本相比，1.6TB 版本 NX500 NVMe SSD 的性价比反而并不高。如果官方的读写数据是可以相信的，那 1.6TB 版本的售价未免也太高了。 作为对比，三...阅读全文
在三星宣布量产 QLC SATA SSD 之后，英特尔这边也宣布了自家的最新竞品 —— 价格媲美 SATA 型号、但支持 NVMe 协议的 660p 系列 SSD 。据 Anandtech 所述， 英特尔 660p 采用了自家的 64 层 1-Tb 3D QLC NAND 闪存，容量有 512GB / 1TB / 2TB 三档，但性能表现颇为一致。此外，660p 还搭配了大容量伪 SLC 缓存机制、辅以 256MB DRAM 。 英特尔 660p 系列 SSD 采用了 M.2 2280 封装规格 据悉，512GB 版本可选择调用 6~76GB 的容量当做缓存，1TB 版本可动用 12~140GB，2TB 版本则是 24~280GB 。当然，随着数据的大量写入，SLC 缓存机制的效用会明显下...阅读全文
错性能提升，电压2.5V，支持最新的NANG Flash闪存介质。面向工业领域如汽车自动驾驶，工作温度零下40摄氏度到高温105摄氏度。 至于 UFSHCI v3.0 规范则面向主控厂商参考，用于简化通行设计。 至于UFS存储卡v1.1，则实现了对HS-Gear1/2/3的全部兼容，这样存储速度就达到最高1.5GB/s。 另外，三星已经宣布，将在2018年第一季首发推出UFS 3.0接口的产品。由于骁龙845、Exynos 9810等尚无证据支持UFS 3.0接口，所以是否对应Galaxy S9终端或者仅仅是主控、闪存这类零部件，暂不得而知。...阅读全文
Raspberry Pi 基金会表示，他们正在致力于为 Raspberry Pi 提供开源 Vulkan 驱动程序的支持。 Vulkan 是“新一代图形和计算 API，可提供对现代 GPU 的高效、跨平台访问”。它是 OpenGL 的下一代版本，和 DirectX 12 一样都是基于 AMD 私有的 Mantle API，不同的是 Vulkan 是开源的图形 API，它承诺通过给予开发者访问硬件底层的能力而大幅提升 3D 应用的性能。 对 Vulkan 的支持现在在 Android 智能手机中很常见。三星就长期支持 Vulkan，以改善 Galaxy 设备上的图形和游戏性能。Vulkan 也有得到 SteamOS 上类似 Valve 等的重量级游戏支持。 不过，Vulkan 才刚刚进入...阅读全文
全球的内存市场主要被三星、SK Hynix和美光三家公司垄断，他们三家加起来的份额高达95%，中国要想在内存市场突破封锁并不容易，尽管有紫光、长鑫、兆易创新等公司投身存储芯片市场，但在现有的DDR内存技术上，中国公司技术、产能还差得远呢。 此外，内存也不止传统的DDR技术，还有很多新兴领域正在发展，比如PCM相变存储，相比传统内存它的优势很多，比如速度快了1000倍，耐用性也是传统内存的1000倍，江苏淮安市时代芯存公司投资130亿元建设了国内最大的相变存储基地，上周已经开始正式运营，预计年产值45亿元。 来自中国江苏网的消息称，淮安市集成电路产业现场推进暨江苏时代芯存半导体有限公司相变存储器工厂竣工运营启动仪式在淮安高新技术产业开发区顺利举行，此举标志着130亿元投资的相变存储项目开始进...阅读全文
Jim Keller堪称微处理器行业的传奇人物，多年来转战AMD、苹果、特斯拉，设计了众多优秀的CPU架构，尤其是K7/K8、Zen架构两度帮助AMD崛起，苹果A4/A5也是他的大手笔。今年早些时候，Jim Keller加盟了Intel，虽然肯定还是从事高性能CPU方面的工作，但具体职责一直未对外公布。他本人接受采访时对此也是避而不谈。 根据外媒最新挖掘到的内部消息，Jim Keller目前在Intel的主要工作并不是全力研究全新的x86 CPU架构，而是开发14nm、10nm工艺产品，并与晶圆厂合作推进两种新工艺。 我们知道，Intel 10nm工艺已经迟到了两年多，而且还需要继续等待，目前看最乐观的情况也是2019年底开始问世，2020年逐渐普及，而相比之下台积电、三星...阅读全文
HBM 2内存，核心容量可达8Gb，通过TSV技术可以实现每个CPU支持64GB HBM2内存，每路插槽的带宽可达2TB/s，而到了HBM 4时代，每个CPU支持的容量可达512GB，带宽超过8TB/s。作为对比的话，目前AMD的EPYC处理器支持8通道DDR4内存，虽然最高容量能达到2TB，但是带宽不过150GB/s左右，与HBM内存相比就差远了。 按照他的观点，在一些需要高带宽的场合中，HBM技术无疑远胜DDR内存，所以他说的DDR内存将死在这方面是成立的，比如HPC高性能计算机行业就非常需要HBM。不过话说回来，DDR将死这个判断并不适合桌面市场，HBM技术虽然各种好，但是现在来看成本问题一时半会都没法解决. 目前能生产HBM内存的厂商只有三星、SK Hynix，美光因为有HMC技术，对...阅读全文
(DDR4可超过200GT/s)，不怕断电，也不需要外接供电，但性能和DRAM仍然远不是一个级别。 NVDIMM-N混合使用DRAM、DRAM，在内存条上集成NAND闪存，外接电源供电，断电时将数据转移保存到NAND闪存中，重新来电后恢复到DRAM，但闪存只是个备份，正常工作时闲置无法使用。 有消息称，紫光集团旗下西安紫光国芯也成功研发出了一看基于DDR4的NVDIMM-N。 NVDIMM-P则是以上二者的结合，三星主导DDR4版本，美光主导DDR5版本。 NVDIMM-H正在研发，美国Netlist公司主导，类似NVDIMM-N，也是DRAM、NAND混合体，但硬件结构差异较大。 - THE END - 转载请注明出处：快科技 #内存#DDR4 责任编辑：上方文Q...阅读全文
说明 文件随机读写 不支持 21.8336 无 互斥锁性能 0.0231s 0.0186s 1.24倍 Debain 9 文件系统采用了三星与华为合力开发的f2fs，针对mmc和emmc还有tf存储进行了优化，除了大大提升了性能之外，还增加了TF卡的使用寿命，提供了意外断电文件系统的保护，大大避免意外断电导致的文件系统崩溃的情况。 其中由于TF卡的细微差异，导致文件连续读写出现了反转，实际上通过测试文件连续读写的性能方面，f2fs更加优化，超越ext4很多倍。 总体上，64位的系统提供了更好的使用体验，曾经抱怨树莓派跑opencv性能不佳的朋友应该是看到希望了！ 以上测试并非使用官方系统，但能够让大家看到软硬件匹配64位之后，树莓派性能上的提升潜力。作为树莓派爱好者，一起期待官方发布64位系...阅读全文
斯曾在2000年为 Linus Torvalds 提供一份工作，条件是他停止在 Linux 上的开发。Linus 拒绝了。 13、Linux 有多成功？它的长期竞争对手微软，在90年代初曾试图“熄灭”该项目，到现在却在利用 Linux 进行服务器业务，甚至在为内核开发做贡献！ 14、说到贡献，谷歌、英特尔、华为、三星、红帽、Canonical 和 Facebook 是近年来 Linux 内核开发的主要贡献者。 15、Linus 出生于芬兰，一个双语国家，并认为瑞典语是他的“母语”。他说，由于发音不同，他常常觉得用英语说话“不舒服”，但却更喜欢阅读英文书籍。 16、Linux 可能是现在最大的自由软件项目（参见第一条），不过在1991年首次发布时，它仅有约 10 万行代码。 17、在重新调整其...阅读全文
