三星全球首秀3nm工艺 电压只需0.23V
7LPP,可将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。或许,这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热,避免再出现所谓的“翻车”。三星3nm预计明年投入量产,但尚未公布任何客户。台积电方面,3nm继续使用FinFET技术,号称相比于5nm晶体管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,预计今年晚些时候投入试产,明年量产,客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科、赛灵思、博通、高通等,甚至据说Intel也会用。...阅读全文