以及QLC闪存？ TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell（每个Cell单元储存3个数据，有8个状态，具体如上图，有八种不同电压状态）。主要特点：成本低，容量大，但速度慢，寿命短，约500-1000次擦写寿命。但随着技术的成熟，寿命问题已经得到改善（约1500-2000次擦写寿命），并成为目前闪存颗粒中的最主流产品。 QLC=Quad-Level Cell，即4bit/cell（每个Cell单元储存4个数据，有16个状态，具体如上图，有十六种不同电压状态）。相比于TLC来说，成本比更低，容量更大，而可靠、稳定性及寿命则更差些（此前几年预计的理论可擦写100-150次），不过目前东芝宣称，他们的QLC NAND拥有多达1000次左右的P/E编程擦写循环，几乎已经和...阅读全文
SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存类型的进化一直是个争议话题，可靠性和寿命越来越差，或者说P/E编程擦写循环次数越来越低，东芝甚至已经开始探讨PLC，不知道会渣成什么样。对于最初的SLC(每单元只保存1比特数据)，很多人都十分怀念，但如今已经几乎绝迹，只在极少数特殊场合才能看到。 东芝正在打造可视为SLC加强版的XL-Flash，而高端固态存储厂商Greenliant最新打造的NANDrive EX系列SSD产品，更是应用了超长寿的SLC闪存。 Greenliant NANDrive EX并非消费级产品，而是面向高性能计算、工业、交通运输、视频和网络等特殊行业应用，特别是那些需要超长寿命、高可靠性的应用，能长久保持数据完整。 它采用了Greenliant自家专门设计的...阅读全文
。 SSD则是外部存储，用来长久保存数据，属于非易失性存储，断电后数据还在，但是相对速度慢、延迟高，HDD机械硬盘、U盘、光盘等也是此类。 SSD的存储介质是NAND闪存颗粒，需要施加不同的电压、改变内部状态来存储数据，随着时间的流逝、读写次数的增加，会出现物理性的损耗，最终不可用。 NAND闪存的寿命一般用P/E编程擦写次数来描述，写满一次容量就损失一次P/E。 SLC大约是10万次，MLC只有5000次左右，TLC就只大概2000次，QLC仅为1000次上下，所以不得不依靠更多管理技术和算法来辅助，以保持寿命。 但另一方面，SLC、MLC、TLC、QLC的存储密度越来越大，SSD容量也越来越大，写满的概率越来越低，所以整个SSD的实际寿命其实并没有大大缩短，一般应用无需过分担忧寿命问题。...阅读全文
